uvled原理是什么？什么是1UVLED消耗功率？

uvled原理是什么？什么是1uvled消耗功率？

1UVLED发光机原理：PN结的端电压构成一定的势垒。 当正向偏置电压时势垒减小时，P和N区域中的多数载流子彼此扩散。 由于电子迁移率的迁移率远大于空穴的迁移率，因此大量电子将扩散到P区，从而在P区中注入少数载流子。 这些电子与价带中的空穴复合，并且在复合期间获得的能量以光能的形式释放。 这就是PN结发光的原理。
2.UVLED发光效率：通常称为组件的外部量子效率，是组件内部的量子效率与组件的提取效率的乘积。 所谓的模块内部量子效率实际上就是模块本身的电光转换效率，这主要与模块本身的特性（例如能带，模块材料的缺陷和杂质）有关。），势垒晶体的组成和模块的结构。 组件的提取效率是指组件内部生成的光子数，在组件自身被吸收，折射和反射后，可以实际在组件外部进行测量。 因此，与提取效率相关的因素包括成分材料本身的吸收，成分的几何结构，成分和包装材料的折射率差以及成分结构的散射特性。 组件的内部量子效率与组件的提取效率的乘积是整个组件的发光效果，即组件的外部量子效率。 早期组件开发的重点是改善其内部量子效率。 主要方法是提高势垒晶体的质量并改变势垒晶体的结构，使电能不易转化为热量，从而间接提高了UVLED的发光效率，从而获得了70％的剩余能量。 正确的理论内部量子效率，但是这样的内部量子效率几乎接近理论极限。 在这样的条件下，仅通过增加模块内部量子效率就不可能增加模块的总光量，因此提高模块的提取效率已成为重要的研究课题。 目前的方法主要是：晶粒形状的变化TIP结构，表面粗糙化技术。

3，UVLED电气特性：电流控制装置，负载特性UI曲线类似于PN结，正向方向的很小变化导通电压会引起正向电流（指数级）的大变化，反向漏电流非常小，反向击穿电压。 在实际使用中，应该选择。UVLED正向电压随着温度的升高而变小，负温度系数。UVLED消耗功率，其中一部分被转换为光能，这是我们所需要的。 其余部分转化为热量，从而提高了结温。 散发的热量（功率）可以表示为。
4，UVLED光学特性：UVLED提供大宽度的单色光。 由于半导体的能隙随着温度的升高而减小，因此其发射的峰值波长会随着温度的升高而升高，也就是说，光谱的红移温度系数为+ 2?3A /。UVLED发光亮度L和正向电流。 随着电流的增加，发光亮度也大约增加。 另外，发光亮度也与环境温度有关。 当环境温度高时，复合效率降低并且发光强度降低。
5，UVLED热学特性：小电流下LED温升不明显。 如果环境温度高，UVLED的主波长将发生红移，亮度将降低，并且光的均匀性和均匀性将降低。 尤其是，点矩阵和大型显示屏的温度上升对LED的可靠性和稳定性具有更大的影响。 因此散热设计非常重要。
6，UVLED寿命：UVLED长时间工作会导致老化，特别是对于高功率的UVLED，光衰的问题更加严重。 在测量UVLED的寿命时，仅将灯的损坏视为UVLED寿命的终点是不够的。LED的寿命应通过UVLED的光衰减百分比来指定，例如35％，这更有意义。
7.大功率UVLED包装：主要考虑散热和发光。 关于散热，请使用铜基热衬，然后连接至铝基散热器。 芯片和散热片通过焊接连接。 这种散热方法效果更好，性价比更高。 在发光方面，采用倒装芯片技术，在底部和侧面增加反射面以反射浪费的光能，从而可获得更多的消光光。

本文章由三昆UVLED厂家整理原创，转载请注明出处：https://www.szxhuv.com/9/2332.html

Tag标签:UVLED 量子效率 反向击穿电压 负载特性 UVLED电气特性 uvled特性 UVLED寿命 铜基热衬