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美国研发大功率UVLED

时间:2021-07-12 09:32来源:未知点击:
UVLED的发光功率低,主要是受制于模具生产、材料和封装技术水平的限制。 目前,UV LED封装主要包括环氧树脂封装和金属和玻璃镜片。 前者主要用于400nm左右的近紫外LED,但材料受UV辐射老化影响较大。 后者主要应用于波长小于380nm的UVLED。GaN、蓝宝石等材料与空气折射率差较大,造成全反射,限制光效,封装后光输出效率低。 美国桑迪亚国家实验室开发的一种高功率紫外发光二极管(LED),采用倒装芯片和导热基板,可以提高亮度和效率。 在DC工作模式下,一台设备可以提供1.3mW的290nm连续辐射,另一台可以提供0.4mW的275nm辐射。 它具有体积小、几乎无需维护、功耗极低的特点,适用于隐蔽通信的非视距发射机、手持生物传感器固态照明等场合。 大功率LED(HP LED)可以在数百毫安下工作(普通LED的工作电流为几十毫安),有的甚至超过1A,因此可以发出非常强的光。 因为过热是破坏性的,所以HP LED的效率必须很高,才能最大限度地减少热量的产生,并且需要安装在散热器上散热,否则没有散热的HP LED会在几秒钟内烧坏。 由于很难用一种GaN活性层来制作高效率的发光器件,商用大功率UV(波长大于290nm)、蓝/绿光发射二极管都使用InGaN活性层。1mW输出功率,400nm波长InGaN/AlGaN双异质结构紫外发光二极管,外量子效率达到7.5%

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Tag标签:UVLED 全反射 固态照明 GaN活性层 生物传感器 InGaN/AlGaN双 蓝/绿光发射二极管 功率紫外发光二极管 
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