美国研发大功率UVLED

UVLED的发光功率低，主要是受制于模具生产、材料和封装技术水平的限制。 目前，UV LED封装主要包括环氧树脂封装和金属和玻璃镜片。 前者主要用于400nm左右的近紫外LED，但材料受UV辐射老化影响较大。 后者主要应用于波长小于380nm的UVLED。GaN、蓝宝石等材料与空气折射率差较大，造成全反射，限制光效，封装后光输出效率低。 美国桑迪亚国家实验室开发的一种高功率紫外发光二极管(LED)，采用倒装芯片和导热基板，可以提高亮度和效率。 在DC工作模式下，一台设备可以提供1.3mW的290nm连续辐射，另一台可以提供0.4mW的275nm辐射。 它具有体积小、几乎无需维护、功耗极低的特点，适用于隐蔽通信的非视距发射机、手持生物传感器和固态照明等场合。 大功率LED（HP LED）可以在数百毫安下工作（普通LED的工作电流为几十毫安），有的甚至超过1A，因此可以发出非常强的光。 因为过热是破坏性的，所以HP LED的效率必须很高，才能最大限度地减少热量的产生，并且需要安装在散热器上散热，否则没有散热的HP LED会在几秒钟内烧坏。 由于很难用一种GaN活性层来制作高效率的发光器件，商用大功率UV（波长大于290nm）、蓝/绿光发射二极管都使用InGaN活性层。1mW输出功率，400nm波长InGaN/AlGaN双异质结构紫外发光二极管，外量子效率达到7.5%

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