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如何理解UVLED光固化的基本原理

时间:2020-11-19 17:25来源:未知点击:
UVLED是一种LED,是单个波长的不可见光,通常在420nm以下。 主要有365nm和395nm。UVLED光固化通常使用365nm的波长。 通过特殊设计,UVLED可以发出完整的连续紫外光带,以满足封边,印刷等领域的生产需求。线光源寿命长,冷光源,无热辐射,寿命不受开闭次数的影响,能量高,照射均匀,提高了生产效率,不含有毒物质,更安全,更环保 比传统光源

如何理解UVLED光固化的基本原理


UVLED(紫外线LED)由一个或更多个InGaN量子阱夹在较薄的GaN三明治结构之间组成,形成的有源区是一个覆盖层。 通过将InN-GaN的相对比例更改为InGaN量子阱,可以将发射波长从紫光变为其他光。 通过更改AlN比例,可以使用AlGaN来制作UVLED量子阱层的包层,但是这些设备的效率和成熟度都很差。 如果活性的量子阱层是GaN,与InGaN或AlGaN合金相反,则器件发射的光谱范围为350?370nm。
当LED泵上的蓝色InGaN短电子脉冲时,会产生紫外线。 含铝的氮化物,特别是AlGaNAlGaInN可以制成短波长器件,并获得串联波长UVLED。 波长高达247nm的二极管已经商业化,基于氮化铝且可发出210nm紫外线辐射的LED已成功开发,并且在250?270nm波段的UVLED也正在大力发展。
III-V族金属氮化物基半导体非常适合制造紫外线辐射源。 以AlGaInN为例,在室温下,随着各组分比例的变化,复合过程中电子和空穴的辐射能量为1.89?6.2eV。 如果LED的有源层仅由GaN或AlGaN组成,则其紫外线辐射效率非常低,因为电子和空穴之间的复合是非辐射复合。 如果在此层中掺杂少量金属In,则有源层的局部能级将发生变化。 此时,电子和空穴将发生辐射复合。 因此,当有源层中掺杂有金属铟时,在380nm处的辐射效率比未掺杂时高19倍。

如何理解UVLED光固化的基本原理


UVLED光固化的原理:使用UVLED固化产生的特定紫外线波长与UV油墨中的UV涂料,UV胶和UV固化剂反应,以实现快速固化。
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