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UVLED结构组成

时间:2020-11-09 14:17来源:未知点击:
UVLED(紫外线LED)由一个或多个InGaN量子阱夹在较薄的GaN三明治结构之间组成,形成的有效区域是一个覆盖层。 通过将InN-GaN的相对比例更改为InGaN量子阱,可以将发射波长从紫光

更改为其他光。
AlGaN可以通过更改AlN比例来制作UVLED量子阱层的包层,但是这些设备的效率和成熟度很差。 如果活性的量子阱层是GaN,则相反的是InGaN或AlGaN合金

,则器件发射的光谱范围为350?370nm。


当LED泵上的蓝色InGaN电子脉冲短时,会产生紫外线。 含铝的氮化物,特别是AlGaNAlGaInN可以制成短波长器件,并获得串联波长UVLED。 波长高达

247nm的二极管已经商品化,基于氮化铝可以发射210nm紫外线的发光二极管已经成功开发,并且在250?270nm波段的UVLED也正在开发中。


III-V族金属氮化物基半导体非常适合制造紫外线辐射源。 以AlGaInN为例,在室温下,随着各组分比例的变化,复合过程中电子和空穴的辐射能量为1.89?6.2eV。 如果LED

的有源层由GaN或AlGaN组成,则其紫外线辐射效率非常低,因为电子和空穴之间的复合是非辐射复合。 如果在此层中掺杂少量金属In,则有源层的局部能级将发生变化。


这时,电子和空穴将发生辐射复合。 因此,当有源层中掺杂有金属铟时,在380nm处的辐射效率比未掺杂时高19倍。


UVLED结构组成

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Tag标签:UVLED AlGaN 氮化铝 AlGaInN AlN比例 量子阱层 蓝色InGaN AlGaN合金 
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